标签：单元多层键合

三星电子成功开发900层超高堆叠3D NAND闪存原型

三星电子近期成功应用单元多层键合 (CMB) 技术，连接两片450层3D NAND，打造出全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型。该原型的存储单元工作特性已得到验证，...

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