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标签:NAND闪存
三星电子成功量产创新236层NAND闪存
三星电子完成了西安工厂工艺升级的第一阶段,逐步淘汰传统的128层(V6)NAND闪存,现已开始量产236层(V8)产品。公司还在计划进一步升级,预计将在今年完成...
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三星电子成功量产创新236层NAND闪存
三星电子完成了西安工厂工艺升级的第一阶段,逐步淘汰传统的128层(V6)NAND闪存,现已开始量产236层(V8)产品。公司还在计划进一步升级,预计将在今年完成...
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