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铠侠据悉计划在日本新建芯片工厂，满足AI存储需求
铠侠控股计划在日本岩手县制造基地新建第三座工厂，以提升NAND闪存产能，满足人工智能相关存储需求增长。新厂将生产其最新高密度3D闪存芯片，用于支持AI服务带来的大规模数据处理。
苹果首款折叠式手机将于9月9日发布
苹果将于9月9日在加州总部举行年度重大发布会，并同步直播。这将是新任CEO John Ternus任内首次重大新品亮相，主题为“Surprise and shine”。此次发布会最大看点是首款折叠屏iPhone发布，标志着苹果正式进入由三星主导的折叠手机市场。
消息称三星电子力争今年9月率先完成1d nm DRAM研发
据TheBell援引业内人士消息，三星电子正加速推进1d nm DRAM研发，目标于2026年9月率先完成研发，12月进入量产转移阶段，并在2027年上半年启动生产线建设。若进展顺利，三星有望于2027年底实现1d nm DRAM首批量产，进一步巩固其在先进存储技术领域的竞争力。
群联警告存储短缺：NAND新增产能最快需4年，供应紧张或将持续多年
群联电子董事长潘健成指出，NAND 新增产能从投资到量产可能需四年，远长于市场预期，供需紧张恐延续多年。公司认为 AI 正带动图片、视频与 AI Agent 数据激增，存储需求正转向长期结构性成长。群联第二季毛利率创 65.3% 新高，未来将靠研发、企业级 SSD 与 AI 平台提升附加价值。
三星在半导体研发中引入Claude模型，耗时一月的设计验证缩短至两天
三星电子已确认引入Anthropic的Claude及其编程工具Claude Code，用于半导体设计、验证和软件开发。引入约三个月后，客户定制SoC验证周期由原计划一个多月缩短至两天，内部评估显示整体工作效率提升约15倍。
三星电子冲击1nm：High NA EUV商业应用计划曝光
三星电子计划在1nm级工艺上商业化High NA EUV设备应用。公司称，2nm的SF2和1.4nm的SF1.4节点上，这项光刻技术仍不够成熟，但更高分辨率在1nm级将成为刚需，因此正与合作伙伴联合研发。由于SF1.4量产预计在2029年、改进型SF1.4+在2030年推出，三星的1nm节点最早可能要到2030年后。