三星电子成功量产创新236层NAND闪存

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三星电子宣布,西安工厂工艺升级的第一阶段已顺利完成,标志着传统128层(V6)NAND闪存的逐步淘汰。公司现已启动236层(V8)产品的量产。与此同时,三星电子正在积极规划下一步升级,预计将在今年内实现向286层(V9)NAND闪存的全面过渡。(财联社)

三星电子成功量产创新236层NAND闪存的封面图

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