据TheBell援引业内人士消息,三星电子正加速推进1d nm DRAM研发,目标于2026年9月率先完成研发,12月进入量产转移阶段,并在2027年上半年启动生产线建设。若...
三星电子已确认引入Anthropic的Claude及其编程工具Claude Code,用于半导体设计、验证和软件开发。引入约三个月后,客户定制SoC验证周期由原计划一个多月缩短...
三星电子计划在1nm级工艺上商业化High NA EUV设备应用。公司称,2nm的SF2和1.4nm的SF1.4节点上,这项光刻技术仍不够成熟,但更高分辨率在1nm级将成为刚需,因...
三星电子相对SK海力士的市盈率溢价已接近两年低点,但随着其在HBM市场夺回份额,溢价有望扩大。瑞银预计三星HBM市占率将由2025年的20%升至今年31%,2027年升...
三星电子在财报电话会上表示,内存芯片短缺可能在2027年进一步加剧,紧张局面至少会持续到2028年。受AI需求推动,各大实验室已向三星提供中长期需求预测,促...
三星电子称,人工智能芯片需求仍然强劲,预计到2026年第二季度服务器需求将持续旺盛,可能加剧明年供应短缺。这一表态与市场对AI支出放缓的担忧相反,也推动...
三星电子半导体部门受人工智能带动的内存需求推动,二季度营业利润飙升250多倍至89.2万亿韩元,超出市场预期;集团净利润也高于预估。作为全球最大存储器制造...
三星电子半导体负责人具子铉表示,下一代HBM5预计较HBM4E提速50%以上,基础芯片将采用GAA结构2纳米工艺,并提升TSV集成度。三星将延续4纳米HBM4积累的经验,...
李在镕与奥特曼在旧金山OpenAI总部会面,商讨AI与半导体合作。外界推测双方重点讨论HBM、DRAM、先进晶圆代工等AI基础设施协作,以及三星全业务线引入生成式AI...
彭博社称,SK集团会长崔泰源透露,Anthropic已向SK海力士寻求自研芯片项目所需的存储芯片供应。此前外媒还称,Anthropic已启动AI芯片早期研发,并与三星电子...
三星电子正加深与英伟达在存储领域的合作,在DRAM、HBM和晶圆代工之外,进一步拓展NAND闪存供应。三星已量产第十代V-NAND(V10)并向英伟达供货,同时扩大第...
三星电子正评估中长期半导体产能投资战略,并向主要合作伙伴征询可行性意见,计划未来5年在韩国新建4座晶圆厂,覆盖平泽P5、P6、龙仁首座及光州首座。此前公...
三星电子正处于评估发行美国存托凭证(ADR)的早期阶段,已与银行进行初步磋商,但尚未作出最终决定。公司将密切关注波动较大的存储芯片市场走势。若推进美国...
三星电子正将龙仁芯片集群首座半导体工厂投产时间提前至2029年,较原计划提前一至两年,以更快满足全球AI芯片需求。此前三星还宣布,将在平泽和龙仁半导体集...
三星会长李在镕计划于7月底赴美会见英伟达CEO黄仁勋,重点讨论三星在韩国西南部的投资布局。为推进光州晶圆厂和龙仁半导体集群,三星希望提升对英伟达的组件...
三星电子预计二季度营业利润同比增长约19倍,甚至超过过去三年利润总和,但股价仍大跌,市值蒸发逾1000亿美元。原因在于投资者担忧AI芯片热潮难以持续,AI数...
据报道,Anthropic正开始研发自有AI芯片,并与三星电子洽谈潜在制造合作,试图像OpenAI一样加强对底层算力系统的掌控。若计划推进,Anthropic在自研AI服务器...
三星电子的第六代高带宽存储芯片HBM4销售额已突破10亿美元,成为全球首家于今年2月开始量产和出货该芯片的公司。业内人士预计,到6月底,三星HBM4芯片的销售...
OpenAI宣布,三星电子将向全球员工部署ChatGPT Enterprise和Codex,以加速内部AI采纳。根据协议,韩国所有三星员工及全球设备体验部门员工将获得这些工具。这...
三星电子平泽P5 Fab 2工地近期部署多台打桩机,标志着该工厂的实质性施工即将启动,预计下个月破土动工。由于AI基础设施投资激增,三星将P5 Fab 2的资本投资...
周一,SK海力士的市值一度超过三星电子,成为韩国市值第一大企业。SK海力士股价上涨5.7%,总市值达2082.5万亿韩元(约1.35万亿美元),而三星电子股价仅上涨0...
OpenAI首席执行官山姆·奥特曼因个人原因推迟了原定于14日至15日的韩国访问计划。他的行程包括与三星电子、Kakao和NAVER等企业负责人会面。
日本电信巨头NTT计划向美国和韩国投资者募集资金,设立一个规模为5亿美元的光网络基金。该基金预计将吸引约20家企业参与,其中包括三星电子。
英伟达CEO黄仁勋宣布,三大内存芯片制造商SK海力士、三星电子和美光科技已获准为英伟达的AI加速器供应最新一代高带宽产品HBM4。这一决定意味着这三家公司可以...
消息称三星电子力争今年9月率先完成1d nm DRAM研发
据TheBell援引业内人士消息,三星电子正加速推进1d nm DRAM研发,目标于2026年9月率先完成研发,12月进入量产转移阶段,并在2027年上半年启动生产线建设。若...
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