三星确认HBM5将采用2纳米GAA工艺,性能较HBM4E提升超50%

2个月前更新 xiaoshan
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三星电子于7月27日发布了对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的专访。具子铉在采访中表示,下一代 HBM5 内存的运行速度预计将比 HBM4E 提升 50% 以上,并指出“HBM5 基础芯片将采用 GAA 结构的 2 纳米工艺,同时实现更高集成度的硅通孔(TSV)”。

具子铉还称,三星电子将依托在 4 纳米 HBM4 基础芯片上积累的经验和技术优势,率先在 HBM5 中导入 2 纳米工艺,并进一步拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域客户的合作,推动半导体生态系统持续扩大和升级。(界面)

三星确认HBM5将采用2纳米GAA工艺,性能较HBM4E提升超50%的封面图

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