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三星发布下一代AI存储路线图：zHBM与400层以上V10 NAND亮相

三星电子在FMS大会上公布面向AI基础设施的下一代存储路线，首次展示zHBM、zNAND-O概念产品，并推出400层以上V10 BV-NAND。zHBM通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上...

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1个月前 6 0 0 0

三星电子半导体负责人具子铉表示，下一代HBM5预计较HBM4E提速50%以上，基础芯片将采用GAA结构2纳米工艺，并提升TSV集成度。三星将延续4纳米HBM4积累的经验，...

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2个月前 4 0 0 0