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三星确认HBM5将采用2纳米GAA工艺，性能较HBM4E提升超50%

三星电子半导体负责人具子铉表示，下一代HBM5预计较HBM4E提速50%以上，基础芯片将采用GAA结构2纳米工艺，并提升TSV集成度。三星将延续4纳米HBM4积累的经验，...

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