三星发布下一代AI存储路线图:zHBM与400层以上V10 NAND亮相

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三星电子在美国圣克拉拉举行的2026年未来存储与内存大会(FMS)上,正式公布面向AI基础设施的下一代存储技术路线,并首次亮相zHBM、zNAND-O概念产品,同时推出采用晶圆键合技术的400层以上V10 BV-NAND。三星指出,zHBM的设计思路是将HBM垂直堆叠在AI加速器上方,以显著缩短处理器与内存之间的数据传输距离,从而进一步提升AI训练和推理效率。

三星还表示,搭载下一代接口系统的zHBM,性能预计可达到HBM5的约8倍;同时,依托新型晶圆键合技术,其内存密度有望超过HBM5的10倍,并同步改善整体能效表现。

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