三星电子扩大与英伟达NAND供应合作,V9、V10闪存布局加速推进

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7月21日消息,三星电子正在加码与英伟达NAND闪存领域的合作,并在此前已覆盖DRAM、高带宽内存(HBM)及晶圆代工的合作基础上,继续深化双方的存储芯片供应关系。

据报道,三星已经启动第十代V-NAND(V10)的量产并开始向英伟达供货,同时还在扩大第九代V-NAND(V9)产能,推进第十一代500层级V-NAND(V11)的研发进程。

另据消息,三星目前已具备每月超过10万片的V-NAND产能,其中约60%产能已分配给V9产品。(界面)

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