三星电子扩大与英伟达NAND供应合作,V9、V10闪存布局加速推进

2个月前更新 775800
4 0 0

7月21日消息,三星电子正在加码与英伟达NAND闪存领域的合作,并在此前已覆盖DRAM、高带宽内存(HBM)及晶圆代工的合作基础上,继续深化双方的存储芯片供应关系。

据报道,三星已经启动第十代V-NAND(V10)的量产并开始向英伟达供货,同时还在扩大第九代V-NAND(V9)产能,推进第十一代500层级V-NAND(V11)的研发进程。

另据消息,三星目前已具备每月超过10万片的V-NAND产能,其中约60%产能已分配给V9产品。(界面)

三星电子扩大与英伟达NAND供应合作,V9、V10闪存布局加速推进的封面图

相关快讯

英伟达深度参与,Anthropic与Lambda签下350亿美元云协议

华尔街日报称,Anthropic与英伟达支持的云计算商Lambda签署了一份价值350亿美元的云计算协议。英伟达还通过与Hut 8的租约锁定数据中心算力,并向Lambda供货、投资。此安排显示英伟达正日益帮助Anthropic等企业获取昂贵算力资源。

英伟达推出新一代高带宽内存技术 NVHBM

NVIDIA推出NVHBM技术,作为NVLink Fusion的扩展方案,面向超大规模企业和AI创新者打造新一代半定制AI基础架构。该技术将内存控制器集成到3D HBM堆栈中,相比标准HBM4E,可提升30%带宽、降低15%功耗,并为XPU计算die释放最多25%面积。

黄仁勋:VeraRubin平台或为英伟达带来每吉瓦超400亿美元营收

8月31日,英伟达CEO黄仁勋表示,Vera Rubin平台有望为英伟达带来巨大商业价值,按每吉瓦计算营收可超过400亿美元,显示其在AI算力基础设施领域的强劲变现能力。

长鑫科技宣布LPDDR6量产,峰值速率达12800Mbps

长鑫科技宣布自主研发的新一代低功耗内存LPDDR6实现量产,并首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。这是全球LPDDR6产品首次商用,标志着国内存储企业在高端内存标准上实现全球首发量产。该芯片通过架构创新和传输优化,峰值速率达12800Mbps,最高容量16GB。

英伟达据悉暂停与多家人工智能企业的收益分成协议

据知情人士透露,英伟达已暂停新融资计划中的部分合作。该计划原拟为AI云服务商提供信用支持并换取营收分成,但部分员工担心其可能引发反垄断审查,也因芯片巨头对客户经营影响过大而面临政策敏感风险。

铠侠据悉计划在日本新建芯片工厂,满足AI存储需求

铠侠控股计划在日本岩手县制造基地新建第三座工厂,以提升NAND闪存产能,满足人工智能相关存储需求增长。新厂将生产其最新高密度3D闪存芯片,用于支持AI服务带来的大规模数据处理。

暂无评论

暂无评论...