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消息称三星电子力争今年9月率先完成1d nm DRAM研发
据TheBell援引业内人士消息，三星电子正加速推进1d nm DRAM研发，目标于2026年9月率先完成研发，12月进入量产转移阶段，并在2027年上半年启动生产线建设。若进展顺利，三星有望于2027年底实现1d nm DRAM首批量产，进一步巩固其在先进存储技术领域的竞争力。
英伟达宣布向SB Energy投资15亿美元，布局能源领域
英伟达宣布向SB Energy投资15亿美元，成为一笔金额较大的资本合作。该消息由财联社报道，显示英伟达在相关产业链上的投资动作持续推进，具体投向和合作细节尚未披露。
黄仁勋豪掷210亿美元，下注马斯克
英伟达向美国SEC披露，截至二季度末持有SpaceX约1.228亿股A类股，价值约210亿美元，成为其第六大投资者。FactSet数据显示，SpaceX第一大股东仍是马斯克，按二季度末估值其持股账面价值约8500亿美元。英伟达这部分持股并非直接买入，而是源自今年1月对马斯克旗下xAI的100亿美元投资。
三星在半导体研发中引入Claude模型，耗时一月的设计验证缩短至两天
三星电子已确认引入Anthropic的Claude及其编程工具Claude Code，用于半导体设计、验证和软件开发。引入约三个月后，客户定制SoC验证周期由原计划一个多月缩短至两天，内部评估显示整体工作效率提升约15倍。
三星电子冲击1nm：High NA EUV商业应用计划曝光
三星电子计划在1nm级工艺上商业化High NA EUV设备应用。公司称，2nm的SF2和1.4nm的SF1.4节点上，这项光刻技术仍不够成熟，但更高分辨率在1nm级将成为刚需，因此正与合作伙伴联合研发。由于SF1.4量产预计在2029年、改进型SF1.4+在2030年推出，三星的1nm节点最早可能要到2030年后。
三星电子相对SK海力士的市盈率溢价或将进一步扩大
三星电子相对SK海力士的市盈率溢价已接近两年低点，但随着其在HBM市场夺回份额，溢价有望扩大。瑞银预计三星HBM市占率将由2025年的20%升至今年31%，2027年升至40%，并首次超越SK海力士，因此将三星列为行业首选。