三星电子冲击1nm:High NA EUV商业应用计划曝光

2个月前更新
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据ZDNET Korea报道,三星电子正推进在1nm级工艺节点上实现High NA EUV设备的商业化应用。三星电子晶圆代工工艺开发团队朴昌民表示,就2nm的SF2和1.4nm的SF1.4这两个近期节点而言,High NA EUV光刻图案化技术目前仍未成熟,尚不具备大规模导入条件。

他同时指出,随着制程继续向1nm级迈进,更高的图案化分辨率将成为刚性需求,因此三星晶圆代工正围绕这一方向,与合作伙伴联合开展研发。结合三星此前披露的规划,其已将2029年设为SF1.4量产时间点,并计划在2030年推出改进版SF1.4+,这意味着1nm节点最快也要到2030年才可能面世。(财联社)

三星电子冲击1nm:High NA EUV商业应用计划曝光的封面图

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