消息称三星电子力争今年9月率先完成1d nm DRAM研发

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据《The Bell》报道,近日有业内人士透露,三星电子计划于2026年9月率先完成1d nm DRAM内存研发,并在2026年12月进入量产转移阶段。

按照规划,三星电子预计于2027年上半年启动相关生产线建设,最快有望在2027年底实现1d nm DRAM首批量产。(财联社)

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