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消息称三星电子力争今年9月率先完成1d nm DRAM研发
据TheBell援引业内人士消息，三星电子正加速推进1d nm DRAM研发，目标于2026年9月率先完成研发，12月进入量产转移阶段，并在2027年上半年启动生产线建设。若进展顺利，三星有望于2027年底实现1d nm DRAM首批量产，进一步巩固其在先进存储技术领域的竞争力。
苹果拟将长鑫存储纳入新供应链，但压价未果
据韩媒报道，苹果为降低下一代iPhone及其他设备成本，曾考虑将长鑫存储纳入供应链，并就LPDDR5X等移动DRAM价格谈判，但压价遭拒。长鑫存储报价据称高于或接近三星、SK海力士水平，令苹果降本计划受阻。
韩国据悉拟放宽新半导体产业集群劳动监管，或取消每周52小时工时上限
韩国政府正评估放宽光州新建半导体产业集群的劳动监管，可能突破每周52小时工时限制，并考虑将弹性工时制计算周期由1个月延长至6个月，以提升产业集群运营灵活性。（新浪财经）
SK海力士加快Y1工厂建设，DRAM设备采购已启动
SK海力士已启动龙仁Y1工厂先进DRAM设备采购，初期投资对应月产2万片晶圆。Y1是其龙仁半导体集群首座工厂，一期含2个厂房骨架和6个洁净室，首座洁净室投产时间已由2026年5月提前至2026年2月。
AI需求外溢至成熟制程，台积电再掀涨价潮
据报道，台积电在先进制程订单满载、持续调涨3纳米等报价之际，涨价压力已延伸至成熟制程。多家IC设计业者表示，已陆续收到台积电拟调高成熟制程价格的通知，具体涨幅将因厂商与产品线而异，预计第四季敲定，明年1月生效。
威刚预警：Q3内存涨价20%-30%，闪存涨价35%-40%
威刚科技预警称，2026年第三季度DRAM与NAND闪存价格将继续上涨，内存和存储产品售价也将随之走高。公司董事长陈立白表示，DRAM合约价预计再涨20%至30%，NAND闪存涨幅或达35%至40%，存储芯片价格上行有望继续推动公司业绩增长。
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