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铠侠据悉计划在日本新建芯片工厂，满足AI存储需求
铠侠控股计划在日本岩手县制造基地新建第三座工厂，以提升NAND闪存产能，满足人工智能相关存储需求增长。新厂将生产其最新高密度3D闪存芯片，用于支持AI服务带来的大规模数据处理。
内存涨价潮席卷亚马逊、苹果、微软、戴尔，全球短缺或持续至2027年
AI算力需求激增推动存储芯片价格大幅上涨，成本压力正向终端市场传导。亚马逊近期上调多款硬件售价，苹果、微软、戴尔等企业也通过涨价或缩减内存配置应对。IDC预计全球内存短缺或持续至2027年，存储芯片价格可能于2028年见顶后逐步回落。
Gartner预测：2026年全球存储器市场规模将达8373亿美元
Gartner预测，2026年全球存储器市场规模将达到8373亿美元，超过半导体产业2025年的8090亿美元总收入。其中，DRAM市场预计增长246.6%，NAND增长371.9%。受存储需求强劲增长推动，存储器在半导体产业营收中的占比将由此前的27%大幅升至54%，成为产业增长的核心驱动力。
消息称三星电子力争今年9月率先完成1d nm DRAM研发
据TheBell援引业内人士消息，三星电子正加速推进1d nm DRAM研发，目标于2026年9月率先完成研发，12月进入量产转移阶段，并在2027年上半年启动生产线建设。若进展顺利，三星有望于2027年底实现1d nm DRAM首批量产，进一步巩固其在先进存储技术领域的竞争力。
群联警告存储短缺：NAND新增产能最快需4年，供应紧张或将持续多年
群联电子董事长潘健成指出，NAND 新增产能从投资到量产可能需四年，远长于市场预期，供需紧张恐延续多年。公司认为 AI 正带动图片、视频与 AI Agent 数据激增，存储需求正转向长期结构性成长。群联第二季毛利率创 65.3% 新高，未来将靠研发、企业级 SSD 与 AI 平台提升附加价值。
苹果拟将长鑫存储纳入新供应链，但压价未果
据韩媒报道，苹果为降低下一代iPhone及其他设备成本，曾考虑将长鑫存储纳入供应链，并就LPDDR5X等移动DRAM价格谈判，但压价遭拒。长鑫存储报价据称高于或接近三星、SK海力士水平，令苹果降本计划受阻。
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