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消息称三星电子力争今年9月率先完成1d nm DRAM研发
据TheBell援引业内人士消息，三星电子正加速推进1d nm DRAM研发，目标于2026年9月率先完成研发，12月进入量产转移阶段，并在2027年上半年启动生产线建设。若进展顺利，三星有望于2027年底实现1d nm DRAM首批量产，进一步巩固其在先进存储技术领域的竞争力。
群联警告存储短缺：NAND新增产能最快需4年，供应紧张或将持续多年
群联电子董事长潘健成指出，NAND 新增产能从投资到量产可能需四年，远长于市场预期，供需紧张恐延续多年。公司认为 AI 正带动图片、视频与 AI Agent 数据激增，存储需求正转向长期结构性成长。群联第二季毛利率创 65.3% 新高，未来将靠研发、企业级 SSD 与 AI 平台提升附加价值。
苹果拟将长鑫存储纳入新供应链，但压价未果
据韩媒报道，苹果为降低下一代iPhone及其他设备成本，曾考虑将长鑫存储纳入供应链，并就LPDDR5X等移动DRAM价格谈判，但压价遭拒。长鑫存储报价据称高于或接近三星、SK海力士水平，令苹果降本计划受阻。
三星电子扩大与英伟达NAND供应合作，V9、V10闪存布局加速推进
三星电子正加深与英伟达在存储领域的合作，在DRAM、HBM和晶圆代工之外，进一步拓展NAND闪存供应。三星已量产第十代V-NAND（V10）并向英伟达供货，同时扩大第九代V-NAND（V9）产能，推进第十一代500层级V-NAND（V11）研发。其V-NAND月产能已超10万片，约六成用于V9。
SK海力士加快Y1工厂建设，DRAM设备采购已启动
SK海力士已启动龙仁Y1工厂先进DRAM设备采购，初期投资对应月产2万片晶圆。Y1是其龙仁半导体集群首座工厂，一期含2个厂房骨架和6个洁净室，首座洁净室投产时间已由2026年5月提前至2026年2月。
PC及内存硬盘价格高位震荡：硬盘一天三价，经销商直言“非刚需别买”
数码终端市场持续震荡，上海多位PC经销商称，内存、硬盘及整机价格已处高位，短期内仍将继续上涨，至少一年内看不到回落迹象。受苹果官宣涨价带动，游戏本涨幅尤甚，起步就要增加800元到1000元，业内普遍建议非刚需暂缓购买。
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