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长鑫科技宣布LPDDR6量产，峰值速率达12800Mbps
长鑫科技宣布自主研发的新一代低功耗内存LPDDR6实现量产，并首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。这是全球LPDDR6产品首次商用，标志着国内存储企业在高端内存标准上实现全球首发量产。该芯片通过架构创新和传输优化，峰值速率达12800Mbps，最高容量16GB。
国家统计局：1—7月份集成电路行业利润同比增长18.5倍，算力芯片、存储芯片表现亮眼
国家统计局表示，受“人工智能+”加快拓展、算力需求持续增长带动，电子行业相关产品需求和价格上升，推动利润高速增长。1—7月，电子行业利润同比增1.1倍，拉动全部规上工业企业利润增长9.3个百分点。其中，集成电路行业利润增长18.5倍，对电子行业利润贡献超八成；计算机、服务器及电子器件相关行业利润也大幅提升。
苹果首款折叠式手机将于9月9日发布
苹果将于9月9日在加州总部举行年度重大发布会，并同步直播。这将是新任CEO John Ternus任内首次重大新品亮相，主题为“Surprise and shine”。此次发布会最大看点是首款折叠屏iPhone发布，标志着苹果正式进入由三星主导的折叠手机市场。
消息称三星电子力争今年9月率先完成1d nm DRAM研发
据TheBell援引业内人士消息，三星电子正加速推进1d nm DRAM研发，目标于2026年9月率先完成研发，12月进入量产转移阶段，并在2027年上半年启动生产线建设。若进展顺利，三星有望于2027年底实现1d nm DRAM首批量产，进一步巩固其在先进存储技术领域的竞争力。
三星在半导体研发中引入Claude模型，耗时一月的设计验证缩短至两天
三星电子已确认引入Anthropic的Claude及其编程工具Claude Code，用于半导体设计、验证和软件开发。引入约三个月后，客户定制SoC验证周期由原计划一个多月缩短至两天，内部评估显示整体工作效率提升约15倍。
三星电子冲击1nm：High NA EUV商业应用计划曝光
三星电子计划在1nm级工艺上商业化High NA EUV设备应用。公司称，2nm的SF2和1.4nm的SF1.4节点上，这项光刻技术仍不够成熟，但更高分辨率在1nm级将成为刚需，因此正与合作伙伴联合研发。由于SF1.4量产预计在2029年、改进型SF1.4+在2030年推出，三星的1nm节点最早可能要到2030年后。