美光启动垂直堆叠GDDR研发,预计2027年推出样品

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美光公司已启动一项新研发计划,目标是开发一种垂直堆叠结构的GDDR内存产品。该计划采用类似HBM的垂直堆叠技术,旨在显著提高传统显存的性能和容量。这一创新设计有望在标准GDDR与高端HBM之间开辟新的技术路径,以满足市场对高性能、低成本内存解决方案的迫切需求。

美光计划在今年下半年完成相关设备的安装,并进入工艺测试阶段。目前,初步方案为进行4层GDDR芯片的垂直堆叠。若进展顺利,首批测试样品预计在2027年发布。(新浪财经)

美光启动垂直堆叠GDDR研发,预计2027年推出样品的封面图

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