三星与英伟达CEO黄仁勋深入探讨HBM4及代工短期合作机会

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三星电子芯片部门负责人JUN透露,与英伟达CEO黄仁勋就HBM4及晶圆厂的短期合作进行了深入探讨。他指出,双方正共同研发4纳米和8纳米节点的自动驾驶芯片,以及NVIDIA的加速器芯片。此外,JUN还提到,双方广泛讨论了长期合作的可能性,包括HBM4E、代工业务、HBM5及其他未来技术,并探讨了下一代芯片的代工合作事宜。(财联社)

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