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三星电子工会警告：按计划罢工或将导致203亿美元损失
韩国三星电子的工会工人警告称，如果公司按计划举行罢工，预计今年将损失30万亿韩元（约203亿美元）的利润。此警告是在薪资谈判陷入僵局时发出的。工会要求大幅提高绩效奖金，外界普遍认为，如果该要求获得批准，三星电子今年需支付的奖金总额可能达到45万亿韩元。
亚行调升韩国2023年经济增长预期至1.9%
亚洲开发银行（ADB）在《2026年亚洲发展展望（4月版）》报告中，将韩国2023年经济增长预期上调0.2个百分点至1.9%，并预测2024年增长同样为1.9%。调整理由包括半导体行业表现良好推动出口增长，降息减缓促进消费回暖，以及政府可能增加对半导体、军工和生物等战略产业的投资。然而，亚行也指出，韩国经济面临外部不确定性，如中东冲突和美国关税政策，以及人工智能需求的不确定性和半导体市场波动带来的下行压力。
SK海力士为戴尔推出专为人工智能PC量身定制的先进存储解决方案
韩国SK海力士公司宣布，将于本月开始向美国戴尔科技集团全面供应一款专为人工智能（AI）任务设计的先进存储解决方案，适用于个人电脑（PC）。
三星电子在得州泰勒逻辑厂启动EUV光刻机调试工作
三星电子在美国得克萨斯州泰勒市的2nm晶圆厂已开始试运营，EUV光刻机的测试已启动，主要的蚀刻和沉积设备也正在分阶段导入。这为今年内的初步运营和2027年的全面投产奠定了基础。
三星电子为平泽P5晶圆厂PH1阶段采购70余台光刻机
三星电子已为其平泽半导体生产基地P5晶圆厂的首个阶段PH1订购70余台光刻机，以备2027年投运。这些光刻机来自ASML和佳能，其中约20台为ASML的极紫外（EUV）曝光系统。P5 PH1将专注于1c nm制程的DRAM生产，涵盖通用内存和高带宽内存（HBM）的制造。
三星电子成功量产创新236层NAND闪存
三星电子完成了西安工厂工艺升级的第一阶段，逐步淘汰传统的128层（V6）NAND闪存，现已开始量产236层（V8）产品。公司还在计划进一步升级，预计将在今年完成向286层（V9）NAND闪存的过渡。
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