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三星寻求法院介入以制止工会非法罢工行动
三星电子于周四向法院申请禁止韩国工会在计划中的罢工期间进行非法活动，此举源于当前的薪资纠纷，可能影响该公司生产运营。尽管三星未透露法律行动的具体细节，工会对此表示强烈反对，称此行为为“宣战”，并指责公司侵犯了工人受法律保护的罢工权。
三星电子与SK海力士转向三至五年长期供应协议模式
三星电子和SK海力士已转变供应策略，放弃与大型科技公司签订一年期短期合同，改为完全通过三至五年的长期协议进行产品供应。从2023年起，三星电子将与主要客户签订的新合同至少为期三年。这一政策旨在增强供应稳定性和合作关系。
三星电子在得州泰勒逻辑厂启动EUV光刻机调试工作
三星电子在美国得克萨斯州泰勒市的2nm晶圆厂已开始试运营，EUV光刻机的测试已启动，主要的蚀刻和沉积设备也正在分阶段导入。这为今年内的初步运营和2027年的全面投产奠定了基础。
三星电子为平泽P5晶圆厂PH1阶段采购70余台光刻机
三星电子已为其平泽半导体生产基地P5晶圆厂的首个阶段PH1订购70余台光刻机，以备2027年投运。这些光刻机来自ASML和佳能，其中约20台为ASML的极紫外（EUV）曝光系统。P5 PH1将专注于1c nm制程的DRAM生产，涵盖通用内存和高带宽内存（HBM）的制造。
三星电子成功量产创新236层NAND闪存
三星电子完成了西安工厂工艺升级的第一阶段，逐步淘汰传统的128层（V6）NAND闪存，现已开始量产236层（V8）产品。公司还在计划进一步升级，预计将在今年完成向286层（V9）NAND闪存的过渡。
三星电子预计2026年HBM出货量将突破100亿Gb
三星电子预计今年的高带宽内存（HBM）出货量将超过100亿Gb，主要受英伟达、博通和AMD等客户需求的推动。公司存储器开发执行副总裁黄相俊表示，三星正在迅速扩大HBM的产能，计划将其提升至去年水平的三倍以上。
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