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消息称三星电子力争今年9月率先完成1d nm DRAM研发
据TheBell援引业内人士消息，三星电子正加速推进1d nm DRAM研发，目标于2026年9月率先完成研发，12月进入量产转移阶段，并在2027年上半年启动生产线建设。若进展顺利，三星有望于2027年底实现1d nm DRAM首批量产，进一步巩固其在先进存储技术领域的竞争力。
苹果拟将长鑫存储纳入新供应链，但压价未果
据韩媒报道，苹果为降低下一代iPhone及其他设备成本，曾考虑将长鑫存储纳入供应链，并就LPDDR5X等移动DRAM价格谈判，但压价遭拒。长鑫存储报价据称高于或接近三星、SK海力士水平，令苹果降本计划受阻。
SK海力士加快Y1工厂建设，DRAM设备采购已启动
SK海力士已启动龙仁Y1工厂先进DRAM设备采购，初期投资对应月产2万片晶圆。Y1是其龙仁半导体集群首座工厂，一期含2个厂房骨架和6个洁净室，首座洁净室投产时间已由2026年5月提前至2026年2月。
威刚预警：Q3内存涨价20%-30%，闪存涨价35%-40%
威刚科技预警称，2026年第三季度DRAM与NAND闪存价格将继续上涨，内存和存储产品售价也将随之走高。公司董事长陈立白表示，DRAM合约价预计再涨20%至30%，NAND闪存涨幅或达35%至40%，存储芯片价格上行有望继续推动公司业绩增长。
机构警告：存储芯片价格压力或将影响AI行业
Bernstein的分析师在研究报告中指出，存储芯片价格上涨可能会影响AI行业。随着供应大量转向高带宽内存（HBM）以支持AI计算，传统动态随机存取存储器（DRAM）的价格在近期显著上升。然而，HBM价格因年度合同锁定而未变。分析师表示，存储芯片供应商与GPU/XPU公司正在谈判，提高2027年HBM价格，以缩小与传统DRAM的盈利差距。
国家发改委预测：市场供需关系改善，物价将保持平稳运行
5月22日，国家发展改革委召开新闻发布会，副主任李超指出，4月份物价延续温和回升态势，反映出供求关系改善和市场秩序优化的积极信号。尽管国际能源价格存在不确定性，但我国物价总体稳定的基础依然稳固。随着宏观政策的深入实施，市场供需关系有望进一步改善，预计物价将继续保持在平稳区间。