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三星发布下一代AI存储路线图：zHBM与400层以上V10 NAND亮相
三星电子在FMS大会上公布面向AI基础设施的下一代存储路线，首次展示zHBM、zNAND-O概念产品，并推出400层以上V10 BV-NAND。zHBM通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方，缩短数据传输距离，预计性能约为HBM5的8倍，内存密度超10倍且能效更高。
三星晶圆代工业务年内有望实现100%产能利用率
据报道，三星电子晶圆代工业务下半年产能利用率有望达到100%，目前约为70%-80%。受现有订单积压及持续推进的合同谈判支撑，业内普遍认为这一目标实现概率很高，几乎已成定局。
李在镕会见奥尔特曼，三星与 OpenAI 商讨 AI 半导体合作
韩媒称，三星电子会长李在镕于旧金山会见 OpenAI CEO 奥尔特曼及其他高管，重点讨论 AI 与半导体合作。双方自去年10月已启动战略合作，围绕先进存储芯片扩产和下一代 AI 基础设施建设推进合作，OpenAI 也将三星、SK 海力士视为重要伙伴。
高通与三星深化合作，骁龙将助力Galaxy新系列
7月22日，高通宣布与三星进一步扩大合作，骁龙将为三星Galaxy新系列提供支持，覆盖智能手机、智能手表和智能眼镜等产品。此次合作体现了双方在移动终端与可穿戴设备领域的持续协同，也为后续新品布局提供了技术支撑。
三星拟向Mistral投资最高10亿欧元，冲击美国科技巨头替代阵营
三星计划向法国AI公司Mistral投资高达10亿欧元，借此强化自身在人工智能领域的布局，并寻求成为美国科技巨头之外的重要替代选择。此举显示三星正加速扩展AI生态合作，提升全球科技竞争力。
美国向韩国施压：要求分享三星、SK海力士“超额利润”，称美企大规模采购应获分成
据《韩国时报》报道，美方在与韩国官员会面时提出，希望分享韩国半导体企业在 AI 芯片热潮中的部分“超额利润”，理由是美国企业大量采购韩国芯片并推动三星电子、SK 海力士业绩增长。当前韩国半导体出口仍受 AI 基础设施和 HBM 需求带动持续扩大。
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