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**优化新闻标题用词** SK海力士考虑让英特尔代工部分HBM基础裸片
**Drafting concise Chinese summary** SK海力士拟从HBM4E起考虑将部分HBM基础裸片交由英特尔代工，以降低对台积电依赖。分析称台积电HBM4基础裸片成本较高，且随HBM4E推进负担将加重；由于长期供货合同占比高，短期难转嫁成本，因此需建立多供应商体系增强议价能力。
苹果首款折叠式手机将于9月9日发布
苹果将于9月9日在加州总部举行年度重大发布会，并同步直播。这将是新任CEO John Ternus任内首次重大新品亮相，主题为“Surprise and shine”。此次发布会最大看点是首款折叠屏iPhone发布，标志着苹果正式进入由三星主导的折叠手机市场。
消息称三星电子力争今年9月率先完成1d nm DRAM研发
据TheBell援引业内人士消息，三星电子正加速推进1d nm DRAM研发，目标于2026年9月率先完成研发，12月进入量产转移阶段，并在2027年上半年启动生产线建设。若进展顺利，三星有望于2027年底实现1d nm DRAM首批量产，进一步巩固其在先进存储技术领域的竞争力。
三星在半导体研发中引入Claude模型，耗时一月的设计验证缩短至两天
三星电子已确认引入Anthropic的Claude及其编程工具Claude Code，用于半导体设计、验证和软件开发。引入约三个月后，客户定制SoC验证周期由原计划一个多月缩短至两天，内部评估显示整体工作效率提升约15倍。
三星电子冲击1nm：High NA EUV商业应用计划曝光
三星电子计划在1nm级工艺上商业化High NA EUV设备应用。公司称，2nm的SF2和1.4nm的SF1.4节点上，这项光刻技术仍不够成熟，但更高分辨率在1nm级将成为刚需，因此正与合作伙伴联合研发。由于SF1.4量产预计在2029年、改进型SF1.4+在2030年推出，三星的1nm节点最早可能要到2030年后。
三星电子相对SK海力士的市盈率溢价或将进一步扩大
三星电子相对SK海力士的市盈率溢价已接近两年低点，但随着其在HBM市场夺回份额，溢价有望扩大。瑞银预计三星HBM市占率将由2025年的20%升至今年31%，2027年升至40%，并首次超越SK海力士，因此将三星列为行业首选。