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三星电子扩大与英伟达NAND供应合作，V9、V10闪存布局加速推进
三星电子正加深与英伟达在存储领域的合作，在DRAM、HBM和晶圆代工之外，进一步拓展NAND闪存供应。三星已量产第十代V-NAND（V10）并向英伟达供货，同时扩大第九代V-NAND（V9）产能，推进第十一代500层级V-NAND（V11）研发。其V-NAND月产能已超10万片，约六成用于V9。
三星电子拟未来5年在韩建4座晶圆厂，半导体扩产提速
三星电子正评估中长期半导体产能投资战略，并向主要合作伙伴征询可行性意见，计划未来5年在韩国新建4座晶圆厂，覆盖平泽P5、P6、龙仁首座及光州首座。此前公司已宣布将在光州投资约400万亿韩元建设两座新厂，龙仁晶圆厂集群进度也将加快。
三星电子据悉初步探讨发行美国存托凭证可能性
三星电子正处于评估发行美国存托凭证（ADR）的早期阶段，已与银行进行初步磋商，但尚未作出最终决定。公司将密切关注波动较大的存储芯片市场走势。若推进美国上市，其庞大业务结构及持续的劳资纠纷，可能增加交易架构设计难度。
三星电子将龙仁首座芯片工厂投产时间提前至2029年
三星电子正将龙仁芯片集群首座半导体工厂投产时间提前至2029年，较原计划提前一至两年，以更快满足全球AI芯片需求。此前三星还宣布，将在平泽和龙仁半导体集群投资2030万亿韩元，并在光州建设两座新芯片工厂。
三星李在镕拟7月底赴美会晤英伟达黄仁勋
三星会长李在镕计划于7月底赴美会见英伟达CEO黄仁勋，重点讨论三星在韩国西南部的投资布局。为推进光州晶圆厂和龙仁半导体集群，三星希望提升对英伟达的组件供货比例，并稳定获得英伟达AI芯片，以支持AI数据中心服务器建设。
AI 降温担忧下，三星电子抛出 19 倍利润预期，市值却蒸发超千亿美元
三星电子预计二季度营业利润同比增长约19倍，甚至超过过去三年利润总和，但股价仍大跌，市值蒸发逾1000亿美元。原因在于投资者担忧AI芯片热潮难以持续，AI数据中心扩建或放缓，导致市场对存储芯片需求和科技公司基础设施支出的预期降温。
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