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消息称三星电子力争今年9月率先完成1d nm DRAM研发
据TheBell援引业内人士消息，三星电子正加速推进1d nm DRAM研发，目标于2026年9月率先完成研发，12月进入量产转移阶段，并在2027年上半年启动生产线建设。若进展顺利，三星有望于2027年底实现1d nm DRAM首批量产，进一步巩固其在先进存储技术领域的竞争力。
三星在半导体研发中引入Claude模型，耗时一月的设计验证缩短至两天
三星电子已确认引入Anthropic的Claude及其编程工具Claude Code，用于半导体设计、验证和软件开发。引入约三个月后，客户定制SoC验证周期由原计划一个多月缩短至两天，内部评估显示整体工作效率提升约15倍。
三星电子冲击1nm：High NA EUV商业应用计划曝光
三星电子计划在1nm级工艺上商业化High NA EUV设备应用。公司称，2nm的SF2和1.4nm的SF1.4节点上，这项光刻技术仍不够成熟，但更高分辨率在1nm级将成为刚需，因此正与合作伙伴联合研发。由于SF1.4量产预计在2029年、改进型SF1.4+在2030年推出，三星的1nm节点最早可能要到2030年后。
三星电子相对SK海力士的市盈率溢价或将进一步扩大
三星电子相对SK海力士的市盈率溢价已接近两年低点，但随着其在HBM市场夺回份额，溢价有望扩大。瑞银预计三星HBM市占率将由2025年的20%升至今年31%，2027年升至40%，并首次超越SK海力士，因此将三星列为行业首选。
特斯拉与SpaceX联手拟建得州Terafab芯片工厂，初期投资达168亿美元
8月6日，特斯拉与SpaceX宣布在美国得克萨斯州格赖姆斯县建设Terafab芯片制造设施，整合逻辑芯片、存储芯片及先进封装能力，目标打造全球最大芯片工厂。项目面积超1亿平方英尺，面向Optimus机器人、Cybercab及太空数据中心生产芯片，以满足未来超过1太瓦的算力需求。初期资本支出预计约168亿美元，后续扩建投资或进一步增加。
三星预测2027年内存短缺将加剧，供应紧张或持续至2028年
三星电子在财报电话会上表示，内存芯片短缺可能在2027年进一步加剧，紧张局面至少会持续到2028年。受AI需求推动，各大实验室已向三星提供中长期需求预测，促使公司更倾向服务长期合同客户，并提前部署产能、扩大供应，以避免行业“繁荣-衰退”循环。与此同时，AI带来的需求也推高了三星半导体业务表现，二季度销售额创下历史新高。