相关快讯
三星电子冲击1nm：High NA EUV商业应用计划曝光
三星电子计划在1nm级工艺上商业化High NA EUV设备应用。公司称，2nm的SF2和1.4nm的SF1.4节点上，这项光刻技术仍不够成熟，但更高分辨率在1nm级将成为刚需，因此正与合作伙伴联合研发。由于SF1.4量产预计在2029年、改进型SF1.4+在2030年推出，三星的1nm节点最早可能要到2030年后。
三星发布下一代AI存储路线图：zHBM与400层以上V10 NAND亮相
三星电子在FMS大会上公布面向AI基础设施的下一代存储路线，首次展示zHBM、zNAND-O概念产品，并推出400层以上V10 BV-NAND。zHBM通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方，缩短数据传输距离，预计性能约为HBM5的8倍，内存密度超10倍且能效更高。
三星晶圆代工业务年内有望实现100%产能利用率
据报道，三星电子晶圆代工业务下半年产能利用率有望达到100%，目前约为70%-80%。受现有订单积压及持续推进的合同谈判支撑，业内普遍认为这一目标实现概率很高，几乎已成定局。
英伟达用 Vera 处理器加速下一代 CPU 和 GPU 设计，EDA 应用最高提速 1.5 倍
英伟达表示，随着 CPU、GPU 和 AI 系统日益复杂，芯片设计面临更高挑战。为提升关键 EDA 工作流程效率，公司正与楷登电子、新思科技合作优化 Vera CPU，并将其用于下一代 CPU 和 GPU 开发。英伟达强调，仿真、验证与实现是芯片量产前的核心环节。
李在镕会见奥尔特曼，三星与 OpenAI 商讨 AI 半导体合作
韩媒称，三星电子会长李在镕于旧金山会见 OpenAI CEO 奥尔特曼及其他高管，重点讨论 AI 与半导体合作。双方自去年10月已启动战略合作，围绕先进存储芯片扩产和下一代 AI 基础设施建设推进合作，OpenAI 也将三星、SK 海力士视为重要伙伴。
高通与三星深化合作，骁龙将助力Galaxy新系列
7月22日，高通宣布与三星进一步扩大合作，骁龙将为三星Galaxy新系列提供支持，覆盖智能手机、智能手表和智能眼镜等产品。此次合作体现了双方在移动终端与可穿戴设备领域的持续协同，也为后续新品布局提供了技术支撑。
暂无评论...