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三星电子相对SK海力士的市盈率溢价或将进一步扩大
三星电子相对SK海力士的市盈率溢价已接近两年低点，但随着其在HBM市场夺回份额，溢价有望扩大。瑞银预计三星HBM市占率将由2025年的20%升至今年31%，2027年升至40%，并首次超越SK海力士，因此将三星列为行业首选。
台积电3纳米产能有望提速，第四季度月产能或冲击18万片
Wedbush最新分析称，台积电3纳米产能扩张将比原预期提前2至3个月，预计今年第四季度初月投片量提升至18万片。加速扩产主要来自英伟达、AMD、博通等客户的强劲订单。2纳米方面，预计2026年上半年月投片量约5万至6万片，第四季度初增至8万片以上，年底有望接近10万片。
台积电N2产能充足却遭DRAM短缺，iPhone 18备货承压
据Tim Culpan报道，苹果iPhone 18系列及折叠屏iPhone Ultra临近发布，台积电N2制程的A20 Pro晶圆良率和产能都较充足，但因DRAM内存严重短缺，已生产的处理器晶圆无法封装，造成库存积压。苹果正紧急向美光、SK海力士和三星寻求更多DRAM供应，当前主要瓶颈并非芯片制程而是内存供给。
CoWoS封装产能吃紧，台积电进一步扩大外包产能
英伟达GPU订单激增，台积电封装产线接近满载，不得不将AI芯片核心封装环节CoWos中的CoW产能进一步外包给日月光等封测厂商。CoWoS是台积电用于AI芯片的2.5D封装技术，能将AI处理器与HBM通过中介层连接。
台积电将美国投资增至2650亿美元，称AI需求与竞争压力推动扩产
台积电计划追加1000亿美元美国投资，使对美投资承诺升至2650亿美元，主要因美国客户需求强劲及英特尔、马斯克旗下Terafab等竞争压力。公司称AI将持续拉动芯片需求，但当前仍产能不足，正加紧扩产，并借此向市场表明不会让出AI芯片机会。
ASML传拟涨价芯片设备，台积电据报不满
ASML 计划上调芯片制造设备价格，DUV 光刻机据称将涨价 10%，引发台积电不满。作为全球唯一的尖端光刻设备供应商，ASML 的产能直接影响半导体扩产节奏。尽管其预计未来两年 Low NA EUV 和 DUV 产量年增 30%，仍难满足 AI 带来的强劲需求。