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英伟达推出新一代高带宽内存技术 NVHBM
NVIDIA推出NVHBM技术，作为NVLink Fusion的扩展方案，面向超大规模企业和AI创新者打造新一代半定制AI基础架构。该技术将内存控制器集成到3D HBM堆栈中，相比标准HBM4E，可提升30%带宽、降低15%功耗，并为XPU计算die释放最多25%面积。
**优化新闻标题用词** SK海力士考虑让英特尔代工部分HBM基础裸片
**Drafting concise Chinese summary** SK海力士拟从HBM4E起考虑将部分HBM基础裸片交由英特尔代工，以降低对台积电依赖。分析称台积电HBM4基础裸片成本较高，且随HBM4E推进负担将加重；由于长期供货合同占比高，短期难转嫁成本，因此需建立多供应商体系增强议价能力。
上海加快高端芯片研发产业化，全面提升集成电路产业能级
上海市“十五五”规划提出全面提升集成电路产业能级，聚焦高端芯片、人工智能赋能设计、先进封装及新型器件与新架构芯片等重点方向。规划将加快高端芯片研发产业化，建设芯片设计垂类模型和智能体，推动AI重塑设计流程、提升仿真效率；推进先进封装技术研发、量产及配套设备材料创新；支持二维材料器件、三维堆叠架构芯片设计与流片，强化产业前瞻布局和技术突破。
三星电子相对SK海力士的市盈率溢价或将进一步扩大
三星电子相对SK海力士的市盈率溢价已接近两年低点，但随着其在HBM市场夺回份额，溢价有望扩大。瑞银预计三星HBM市占率将由2025年的20%升至今年31%，2027年升至40%，并首次超越SK海力士，因此将三星列为行业首选。
台积电3纳米产能有望提速，第四季度月产能或冲击18万片
Wedbush最新分析称，台积电3纳米产能扩张将比原预期提前2至3个月，预计今年第四季度初月投片量提升至18万片。加速扩产主要来自英伟达、AMD、博通等客户的强劲订单。2纳米方面，预计2026年上半年月投片量约5万至6万片，第四季度初增至8万片以上，年底有望接近10万片。
台积电N2产能充足却遭DRAM短缺，iPhone 18备货承压
据Tim Culpan报道，苹果iPhone 18系列及折叠屏iPhone Ultra临近发布，台积电N2制程的A20 Pro晶圆良率和产能都较充足，但因DRAM内存严重短缺，已生产的处理器晶圆无法封装，造成库存积压。苹果正紧急向美光、SK海力士和三星寻求更多DRAM供应，当前主要瓶颈并非芯片制程而是内存供给。