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浙江强化脑机接口企业全生命周期金融支持，助力符合条件企业择优上市
浙江省出台推进脑机接口产学研联动措施，重点强化金融支持。通过省级专项基金和社保科创基金，以市场化方式支持有潜力企业和优质研发项目，引导社会资本投早、投小、投长期、投硬科技；将符合条件项目纳入省级政府投资基金库，推动“直通车”融资。同步创新“概念验证贷”“中试贷”“科技成果转化贷”等产品，支持知识产权质押融资与证券化，并鼓励企业择机上市。
浙江鼓励脑机接口企业自主合理定价，开通医用耗材挂网“绿色通道”
浙江省出台《关于推进脑机接口产学研联动的若干措施》，提出优化产品应用路径：建立脑机接口产品医疗应用清单并动态更新，支持企业自主合理定价，开通医用耗材挂网“绿色通道”，申报后10个工作日内办结；鼓励医疗机构按“应配尽配”原则配备清单内产品，或设临时采购通道；试点示范推广应用项目，推动重点产品申报国家高端医疗装备推广应用项目。
三星电子冲击1nm：High NA EUV商业应用计划曝光
三星电子计划在1nm级工艺上商业化High NA EUV设备应用。公司称，2nm的SF2和1.4nm的SF1.4节点上，这项光刻技术仍不够成熟，但更高分辨率在1nm级将成为刚需，因此正与合作伙伴联合研发。由于SF1.4量产预计在2029年、改进型SF1.4+在2030年推出，三星的1nm节点最早可能要到2030年后。
特斯拉与SpaceX联手拟建得州Terafab芯片工厂，初期投资达168亿美元
8月6日，特斯拉与SpaceX宣布在美国得克萨斯州格赖姆斯县建设Terafab芯片制造设施，整合逻辑芯片、存储芯片及先进封装能力，目标打造全球最大芯片工厂。项目面积超1亿平方英尺，面向Optimus机器人、Cybercab及太空数据中心生产芯片，以满足未来超过1太瓦的算力需求。初期资本支出预计约168亿美元，后续扩建投资或进一步增加。
台积电3纳米产能有望提速，第四季度月产能或冲击18万片
Wedbush最新分析称，台积电3纳米产能扩张将比原预期提前2至3个月，预计今年第四季度初月投片量提升至18万片。加速扩产主要来自英伟达、AMD、博通等客户的强劲订单。2纳米方面，预计2026年上半年月投片量约5万至6万片，第四季度初增至8万片以上，年底有望接近10万片。
三星发布下一代AI存储路线图：zHBM与400层以上V10 NAND亮相
三星电子在FMS大会上公布面向AI基础设施的下一代存储路线，首次展示zHBM、zNAND-O概念产品，并推出400层以上V10 BV-NAND。zHBM通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方，缩短数据传输距离，预计性能约为HBM5的8倍，内存密度超10倍且能效更高。