相关快讯
三星电子工会警告：按计划罢工或将导致203亿美元损失
韩国三星电子的工会工人警告称，如果公司按计划举行罢工，预计今年将损失30万亿韩元（约203亿美元）的利润。此警告是在薪资谈判陷入僵局时发出的。工会要求大幅提高绩效奖金，外界普遍认为，如果该要求获得批准，三星电子今年需支付的奖金总额可能达到45万亿韩元。
IDC预测：2026年第一季度全球智能手机出货量将减少4.1%
市场研究机构IDC报告指出，智能手机市场在第一季度出货量下降，结束了连续十个季度的增长。苹果和三星是前五大品牌中仅有的实现增长的厂商。内存芯片供应短缺及伊朗战争导致制造成本上升，尤其影响了中国品牌。IDC预计，内存芯片的紧张局面将持续至2027年下半年。
三星电子与SK海力士转向三至五年长期供应协议模式
三星电子和SK海力士已转变供应策略，放弃与大型科技公司签订一年期短期合同，改为完全通过三至五年的长期协议进行产品供应。从2023年起，三星电子将与主要客户签订的新合同至少为期三年。这一政策旨在增强供应稳定性和合作关系。
三星电子在得州泰勒逻辑厂启动EUV光刻机调试工作
三星电子在美国得克萨斯州泰勒市的2nm晶圆厂已开始试运营，EUV光刻机的测试已启动，主要的蚀刻和沉积设备也正在分阶段导入。这为今年内的初步运营和2027年的全面投产奠定了基础。
三星电子为平泽P5晶圆厂PH1阶段采购70余台光刻机
三星电子已为其平泽半导体生产基地P5晶圆厂的首个阶段PH1订购70余台光刻机，以备2027年投运。这些光刻机来自ASML和佳能，其中约20台为ASML的极紫外（EUV）曝光系统。P5 PH1将专注于1c nm制程的DRAM生产，涵盖通用内存和高带宽内存（HBM）的制造。
三星电子成功量产创新236层NAND闪存
三星电子完成了西安工厂工艺升级的第一阶段，逐步淘汰传统的128层（V6）NAND闪存，现已开始量产236层（V8）产品。公司还在计划进一步升级，预计将在今年完成向286层（V9）NAND闪存的过渡。
暂无评论...