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英伟达推出新一代高带宽内存技术 NVHBM
NVIDIA推出NVHBM技术，作为NVLink Fusion的扩展方案，面向超大规模企业和AI创新者打造新一代半定制AI基础架构。该技术将内存控制器集成到3D HBM堆栈中，相比标准HBM4E，可提升30%带宽、降低15%功耗，并为XPU计算die释放最多25%面积。
机构：预计2026年全球智能手机出货量将略高于10亿部，同比下降16.7%
IDC报告预计，2026年全球智能手机出货量将降至略高于10亿部，同比下降16.7%，跌幅较此前预测进一步扩大，并创行业历史最大年度降幅。受内存短缺影响，智能手机平均售价或升至581美元，同比增长27.6%。
苹果首款折叠式手机将于9月9日发布
苹果将于9月9日在加州总部举行年度重大发布会，并同步直播。这将是新任CEO John Ternus任内首次重大新品亮相，主题为“Surprise and shine”。此次发布会最大看点是首款折叠屏iPhone发布，标志着苹果正式进入由三星主导的折叠手机市场。
消息称三星电子力争今年9月率先完成1d nm DRAM研发
据TheBell援引业内人士消息，三星电子正加速推进1d nm DRAM研发，目标于2026年9月率先完成研发，12月进入量产转移阶段，并在2027年上半年启动生产线建设。若进展顺利，三星有望于2027年底实现1d nm DRAM首批量产，进一步巩固其在先进存储技术领域的竞争力。
三星在半导体研发中引入Claude模型，耗时一月的设计验证缩短至两天
三星电子已确认引入Anthropic的Claude及其编程工具Claude Code，用于半导体设计、验证和软件开发。引入约三个月后，客户定制SoC验证周期由原计划一个多月缩短至两天，内部评估显示整体工作效率提升约15倍。
三星电子冲击1nm：High NA EUV商业应用计划曝光
三星电子计划在1nm级工艺上商业化High NA EUV设备应用。公司称，2nm的SF2和1.4nm的SF1.4节点上，这项光刻技术仍不够成熟，但更高分辨率在1nm级将成为刚需，因此正与合作伙伴联合研发。由于SF1.4量产预计在2029年、改进型SF1.4+在2030年推出，三星的1nm节点最早可能要到2030年后。